Лабораторные работы по оптоэлектронике

[an error occurred while processing this directive]
Инженерная графика
 
Египет
Индия и Китай
Западная Азия
Эллада
фронтоны Парфенонского храма
Помпея
культ Аполлона
Регалии древних царей Рима
Древнехристианская эпоха
Христиане
Сасаниды
Дальнейшее развитие христианства в Европе
Эпоха Петра Великого
Архитектура Запада Романский стиль. Готика
Италия в эпоху возрождения
Нидерланды
Костюм XVIII-XIX веков
Кандинский
О понимании искусства
Лабораторные работы по оптоэлектронике
Исследование основных параметров полупроводникового лазера
Полупроводниковые детекторы оптического излучения
Волоконно-оптический световод
Исследование характеристик светового жгута
Увеличение информационной емкости
Векторно-матричный умножитель
Основные понятия и уравнения твердотельной электроники
Структура "металл-полупроводник"
Электронно-дырочный переход
Германиевый полупроводниковый диод
Изучение законов внешнего фотоэффекта
Методика снятия ВАХ фотоэлемента
Изучение зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры
 

Исследование основных параметров полупроводникового лазера Цель работы: Изучение принципов работы полупроводникового лазера и измерение его основных параметров.

Полупроводниковые детекторы оптического излучения в устройствах оптоинформатики Цель работы: Изучение принципов работы и использования приемников оптического излучения на основе полупроводниковых диодов в устройствах оптоинформатики.

Волоконно-оптический световод как среда передачи информации Цель работы: Знакомство с моделью волоконно-оптической системы передачи, основными ее элементами и основными характеристиками волоконно-оптической линии связи на примере многомодового одножильного волокна.

Исследование характеристик светового жгута Цель работы: Знакомство с принципом работы светового жгута и его характеристиками.

Увеличение информационной емкости за счет использования постраничной, а не побитовой записи информации и за счет использования наложенной записи, то есть записи на отдельном локальном участке диска нескольких голограмм, каждая из которых может содержать значительный объем информации, например, страницу текста.

Векторно-матричный умножитель – простейший оптический процессор Цель работы: Познакомиться с возможностями оптических систем, предназначенных для выполнения вычислительных процедур.

Основные понятия и уравнения твердотельной электроники

Структура "металл-полупроводник"  Расчет вольт-амперной характеристики контакта "металл-полупроводник". Контакт "металл-полупроводник" может быть как омическим, так и выпрямляющим. Омические контакты металла с полупроводником являются обязательными элементами любого активного или пассивного полупроводникового прибора или устройства, так как они осуществляют электрическую связь между элементами прибора и внешней цепью, обусловленную линейной вольт-амперной характеристикой.

Электронно-дырочный переход

Пример. Германиевый полупроводниковый диод, имеющий обратный ток насыщения I0=25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В, и T = 300 К. Определить: а) сопротивление диода постоянному току R0; б) дифференциальное сопротивление r.

Изучение законов внешнего фотоэффекта; исследование вольт-амперных характеристик вакуумного фотоэлемента; определение постоянной Планка.

Методика снятия ВАХ фотоэлемента Для снятия вольт-амперных характеристик ФЭ при различных величинах светового потока на ФЭ подают напряжение постоянного тока и измеряют протекающий через него ток. При приложении положительного напряжения («прямого напряжения») на анод ФЭ снимается прямая ветвь ВАХ, а при подаче отрицательного напряжения («обратного напряжения») снимается обратная ветвь.

Изучение зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры; определение длины свободного пробега электронов в металле и ширины запрещенной зоны полупроводника.

[an error occurred while processing this directive]