Китайская народная медицина

Сервис для выполнения любых видов студенческих работ

Сервис для выполнения любых видов студенческих работ

Уборка   квартир в Москве

Уборка квартир в Москве

Выполнение 
работ на заказ. Контрольные, курсовые и дипломные работы

Выполнение работ на заказ. Контрольные, курсовые и дипломные работы

Заказ контрольной работы

Заказ контрольной работы

Интернет-магазин Olympus

Интернет-магазин Olympus

 

Туризм, путешествия: Бронирование отелей

Туризм, путешествия: Бронирование отелей

KupiVip – крупнейший онлайн-магазин

Гироскутер SmartWay

ТехносилаТехносила

Подарки

Онлайн-гипермаркет лучших товаров для детей

Заказать курсовую работу - Пишут преподаватели!
Лабораторные работы по оптоэлектронике Исследование основных параметров полупроводникового лазера Полупроводниковые детекторы оптического излучения Волоконно-оптический световод Электронно-дырочный переход http://www.sublata.com/

Электронно-дырочный переход

Варианты 1.1 – 1.12

Электронно-дырочный переход, площадью S = 0,1 см2, сформирован в кремнии таким образом, что удельные сопротивления дырочной и электронной областей составляют величины rp и rn соответственно.

Объяснить:

– работу p-n-перехода, используемого в выпрямителе;

– причины расхождения между теоретической и реальной вольт-амперными характеристиками p-n-перехода;

– применения пассивной и реактивной компонент полного сопротивления p-n-перехода.

Определить:

– величину контактной разности потенциалов при комнатной температуре; Уравнение Шредингера. Стационарные состояния атома. Для расчета волновой функции необходимо иметь уравнение, которое позволяло бы для любого момента времени определить эту функцию с учетом действующих на частицу внешних силовых полей. Чтобы искомое уравнение учитывало волновые свойства микрочастиц, необходимо чтобы оно по форме было волновым уравнением, подобно тем, которые описывают звуковые или электромагнитные волны.

– рассчитать и построить энергетическую диаграмму p–n-перехода в равновесном состоянии, а также при заданном значении величины прямого напряжения u, В;

– рассчитать и построить теоретическую вольт-амперную характеристику (учесть движение всех носителей заряда через p-n-переход, среднее время жизни которых считать равным τp,n = 1 мкс);

– вычислить величину дифференциального сопротивления p-n-перехода при u, B; T, K.

Численные значения исходных данных, необходимых для выполнения задания по вариантам 1.1 – 1.9, представлены в табл. 1.

Таблица 1

№ варианта

rp,

Ом×см

rn,

Ом×см

u,

B

T,

K

1.1

0,01

44,0

0,1

200

1.2

0,012

44,1

0,2

210

1.3

0,013

44,5

0,3

220

1.4

0,015

44,8

0,4

230

1.5

0,18

45,0

0,5

240

1.6

0,2

45,1

0,6

250

1.7

0,22

45,3

0,7

260

Окончание табл. 1

№ варианта

rp,

Ом×см

rn,

Ом×см

u,

B

T,

K

1.8

0,25

45,8

0,8

270

1.9

0,27

46,0

0,9

280

Задание к вопросу о методе формирования

полупроводниковой структуры

1.1. Изготовление p-n-перехода микроплавлением с помощью электронного луча.

1.2.  Механизмы диффузии в полупроводниках.

1.3. Распределение примеси при диффузии из бесконечного источника.

1.4. Распределение примеси при диффузии из ограниченного источника.

1.5. Способы проведения диффузии.

1.6. Радиационно-стимулированная диффузия.

1.7. Силановый метод эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев.

1.8. Хлоридный метод эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев.

1.9. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

1.10. Гетероэпитаксия.

1.11. Локальная эпитаксия.

1.12. Методы легирования эпитаксиальных слоев.

Варианты 2.1 – 2.12

Р-n-переход используется в качестве переменного резистора в аттенюаторе, схема которого показана на рис. 3.

Вычислить величину дифференциального сопротивления диода как функцию Ii.

Смещение на диоде задается источником постоянного тока I, а связь между сигналами осуществляется через конденсатор емкостью  С, реактивное сопротивление

Рис.3

   


которого пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением резистора Ri. Вычислите и постройте зависимость ослабления сигнала по напряжению в децибелах [20 lg(Uвых/Uвх)] от величины тока Ii. Ток насыщения можно взять равным I0 = 1мкА.

Вычислите емкость и толщину обедненного слоя при обратном напряжении смещения Uобрi, если изменение плотности заряда по обе стороны резкого p–n-перехода представляет собой ступенчатую функцию, т. е. NAi > NDi. Принять es = 16, S = 10-6 м2.

Построить энергетическую диаграмму p–n-перехода для заданного Uобрi.

Численные значения исходных данных, необходимых для выполнения задания по вариантам 2.1 – 2.12, представлены в табл. 2.

Таблица 2

варианта

Ri,

кОм

Ii,

мА

NAi,

см-3

NDi,

см-3

Uобрi,

B

2.1

1,0

0,01–0,1

1×1017

2×1015

0,2

2.2

1,3

0,01–0,1

5×1017

4×1015

0,4

Окончание табл. 2

варианта

Ri,

кОм

Ii,

мА

NAi,

см-3

NDi,

см-3

Uобрi,

B

2.3

1,5

0,01–0,1

1×1018

6×1015

0,6

2.4

1,7

0,01–0,1

5×1018

8×1016

0,8

2.5

1,9

0,10–1,0

1×1019

1×1017

1

2.6

2,1

0,10–1,0

5×1019

5×1017

1,2

2.7

2,3

0,10–1,0

1×1020

2×1015

1,4

2.8

2,7

0,10–1,0

2,5×1017

1×1015

1,6

2.9

2,9

1,0–10,0

2,5×1018

8×1014

1,8

2.10

3,1

1,0–10,0

2,5×1019

6×1014

2

2.11

3,5

1,0–10,0

7,5×1017

4×1014

2,2

2.12

3,7

1,0–10,0

7,5×1018

2×1014

2,4

Задание к вопросу о методе формирования

полупроводниковой структуры

2.1.  Получение на поверхности кремния слоев SiO2 методом термического окисления.

2.2.  Анодное электролитическое оксидирование поверхности кремния.

2.3. Механизм ионного легирования при ориентированном внедрении ионов.

2.4. Механизм ионного легирования при разориентированном внедрении ионов.

2.5. Распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях.

2.6. Преимущества и недостатки ионного легирования полупроводников.

2.7. Термовакуумный метод нанесения пленок.

2.8. Получение тонких пленок при распылении ионной бомбардировкой.

2.9.  Получение тонких пленок при осаждении металла из электролита и растворов.

2.10. Разделение пластин и подложек с готовыми структурами при сборке интегральных микросхем.

2.11. Основные методы сборки интегральных микросхем.

2.12. Монтаж кристаллов при сборке интегральных микросхем.

Порядок построения энергетической диаграм-мы МДП-структуры. Для построения энергетической диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии необходимо определить следующие электрофизические характеристики: концентрацию примесей в полупроводнике

 Электрофизические свойства различных полупроводниковых структур определяют принципы действия подавляющего большинства интегральных микросхем (ИМС). На границе раздела между двумя различными по типу электропроводности полупроводниками или между полупроводником и металлом возникают потенциальные барьеры, что является следствием перераспределения концентрации подвижных носителей заряда между контактирующими материалами.

Определить во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения p-n-перехода